DB107SB1

Yangjie
RoHS DB101S THRU DB107S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
PH DB107S (YJ)
 
DBS в ленте 1500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 1000V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS DB101S THRU DB107S COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E313149 ● Ideal for automated placement ● High surge current capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for SMPS, lighting ballast, adapter, battery charger, home appliances, office equipment, and telecommunication applications. Mechanical Data ● Package: DBS Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, Halogen free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S 50 100 200 400 600 800 1000 DB106S DB107S VRRM V IO A IFSM A It 2 A2s Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output On glass-epoxi current @60Hz sine wave, substrate R-load, Ta=40℃ Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode 1.0 30 3.7 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VF IRRM V TEST CONDITIONS DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S 1.00 IFM=0.5A μA VRM=VRRM 5 1/4 S-S010 Rev. 2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на DB101S 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 23.07.2018

Размер: 704.2 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)