DB156S

SUNCOYJ
DB151S THRU DB157S 桥式整流器 Bridge Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 1.5A VRRM 50V~1000V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability Outline Dimensions and Mark DBS ● Mounting Pad Layout .060(1.53) .040(1.02) - + .013(0.33) .003(0.076) .255(6.5) .404(10.3) .245(6.2) .386(9.80) 0.202 (5.12) ~ ~ 0.344 (8.73) .083(2....
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DBS14
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Примечание Bridge Rectifier Diode, 1.5A, 800V V(RRM)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= DB156S (DC)
 
DB1S в линейках 50 шт
 
 —
F~ DB157S (YJ)
 
TO261 в ленте 1500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1.5A, 1000V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
DB151S THRU DB157S 桥式整流器 Bridge Rectifier ■特征 Features ● Io ■外形尺寸和印记 1.5A VRRM 50V~1000V ● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability Outline Dimensions and Mark DBS ● Mounting Pad Layout .060(1.53) .040(1.02) - + .013(0.33) .003(0.076) .255(6.5) .404(10.3) .245(6.2) .386(9.80) 0.202 (5.12) ~ ~ 0.344 (8.73) .083(2.10) .071(1.80) ■用途 Applications ● .013(0.33) .0088(0.22) .205(5.2) .195(5.0) 作一般电源单相桥式整流用 General purpose 1 phase Bridge rectifier applications 0.087 (2.22) .335(8.51) .320(8.13) 0.047 (1.20) 45° .130(3.30) .120(3.05) .047(1.20) .040(1.02) Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Nonrepetitive)Forward Current 正向浪涌电流的平方对电流 浪涌持续时间的积分值 Current Squared Time 存储温度 Storage Temperature 结温 Junction Temperature 符号 单位 Symbol Unit VRRM 条件 Conditions DB1 51S 52S 53S 54S 55S 56S 57S 50 V 100 200 400 600 800 1000 60Hz正弦波， 电阻负载，Ta=25 安装在玻璃-环氧基板上 ℃ On glass-epoxi substrate 60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ IO A IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Tj=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ 30 2 It 2 AS 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管 1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode 3.7 Tstg ℃ -55 ~+150 Tj ℃ -55 ~+150 1.5 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance Document Number 0009 Rev. 1.0, 22-Sep-11 符号 单位 Symbol Unit VFM RθJ-A 最大值 Max IFM=1.5A, 脉冲测试，单个二极管的额定值 IFM=1.5A, Pulse measurement, Rating of per diode VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值 μA VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode 结和环境之间，安装在玻璃-环氧基板上 Between junction and ambient, On glass-epoxi substrate ℃/W 结和引线之间 Between junction and lead V IRRM RθJ-L 测试条件 Test Condition 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 1.1 10 68 15 www.21yangjie.com PDF
Документация на DB151S 

Microsoft Word - DB151S-DB157S.doc

Дата модификации: 07.11.2011

Размер: 100 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)