DGW40N120CTH0

Yangjie
DGW40N120CTH0 RoHS COMPLIANT IGBT Modules VCE 1200 V IC 40 A VCE(SAT) IC=40A 1.90 V Applications  Circuit    High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Welding converters Features     High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient Including fast & ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Тип
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- DG15X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт —
A- DG15X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт —
A- DG25X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG40F12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG40Q12T2LZ (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
A- DG50Q12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
A- DG50X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG10X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 —
A- SGT50T65FD1PN (SILAN)
 
— в линейках 30 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
DGW40N120CTH0 RoHS COMPLIANT IGBT Modules VCE 1200 V IC 40 A VCE(SAT) IC=40A 1.90 V Applications  Circuit    High frequency switching application Resonant converters Uninterruptible power supply Welding converters Features     High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient Including fast & soft recovery anti-parallel FWD Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 1200 V IC 80 40 A IF 80 40 A Continuous Gate-Emitter Voltage VGE ±20 V Transient Gate-Emitter Voltage VGE ±30 V 160 A Collector-Emitter Breakdown Voltage VCE DC Collector Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Diode Forward Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Turn off Safe Operating Area VCE≤1200V, Tj≤ 150°C Pulsed Collector Current, VGE=15V, tp limited by Tjmax ICM 160 A Diode Pulsed Current, tp limited by Tjmax IFpuls 160 A Power Dissipation , Tj=175°C，Tc=25°C Ptot 500 W S-M347D Rev.1.1, 11-Jun-22 1 www.21yangjie.com PDF
Документация на DGW40N120CTH0 

Microsoft Word - DGW40N120CTH0

Дата модификации: 28.07.2022

Размер: 391.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 мая 2024
    новость

    Быстрые IGBT SUNCO нового поколения для высокочастотного оборудования

    Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCO выпустила линейку быстрых дискретных IGBT–транзисторов с напряжением «коллектор–эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    DG10X06T1 (STARPWR)