Быстрые IGBT SUNCOYJ нового поколения для высокочастотного оборудования

16 мая

управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиIGBTTO-247trench

Ведущий китайский производитель дискретных силовых полупроводников компания SUNCOYJ выпустила линейку быстрых дискретных IGBT-транзисторов с напряжением «коллектор-эмиттер» до 650 В. Компоненты нового поколения выполнены по технологии Micro trench, которая существенно снижает потери при преобразовании энергии.

Инженеры SUNCOYJ усовершенствовали технологию формирования вертикального затвора (Trench) для IGBT-транзисторов, что заметно снизило уровень статических и динамических потерь и тем самым повысило эффективность работы силовых модулей. Постоянный ток коллектора дискретных IGBT технологии Micro Trench при Tc = 100°С составляет 50 А.

Уровень прочности таких транзисторов рассчитан для работы в устройствах с большой нагрузкой на компоненты. Максимальная температура использования Tjmax составляет 175°C, таким образом они имеют положительный температурный коэффициент, подходящий для параллельного применения.

В качестве примера IGBT технологии Micro Trench в таблице 1 приведены основные технические характеристики транзистора DGW50N65CTL0.

Таблица 1. Основные характеристики DGW50N65CTL0 производства SUNCOYJ

Параметр Значение
Предельно допустимое напряжение «коллектор-эмиттер» VCE, В 650
Переходное напряжение «эмиттер-затвор» Vge, В ±30
Типовое напряжение насыщения «коллектор-эмиттер» VCE(SAT) при IC = 50 A, В 1,70
Ток коллектора Ic при Tc = 100°C, А 50
Максимальная температура перехода Tjmax, °C 175
Время включения td(on), нс При Tj = 25°C 20
При Tj = 125°C 19
При Tj = 150°C 19
Время выключения td(off), нс При Tj = 25°C 131
При Tj = 125°C 139
При Tj = 150°C 142
Время нарастания tr, нс При Tj = 25°C 67
При Tj = 125°C 65
При Tj = 150°C 63
Заряд затвора Qg, нКл 250
Импульсный ток диода IFpuls, А

200

Такие параметры IGBT позволяют использовать их в устройствах с высоким уровнем коммутационных потерь, где мощность и теплоотдача являются основными параметрами выбора силового компонента. Это делает новинку SUNCOYJ идеальным решением при проектировании силовых устройств в системе преобразования энергии, требующих высокой частоты коммутации. Например, транзистор DGW50N65CTL0 является идеальным решением для зарядных станций электротранспорта, солнечных фотоэлектрических инверторов и других альтернативных источников электроэнергии, а также для ИБП высокого уровня надежности.

Новые IGBT выполнены в корпусе TO-247 (рисунок 1), что значительно упрощает процесс монтажа и позволяет использовать их в качестве замены аналогичных компонентов других производителей.

Рис. 1. Транзистор DGW50N65CTL0 в корпусе TO-247: а) внешний вид; б) схема

Рис. 1. Транзистор DGW50N65CTL0 в корпусе TO-247: а) внешний вид; б) схема

Вся продукция компании SUNCOYJ соответствует международным экологическим требованиям для электроники, включая стандарт RoHS (ЕС), и при этом отличается адекватной стоимостью.

•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCOYJ

Компания SUNCOYJ – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовлени ...читать далее

Товары
Наименование
DGW50N65CTL0C (YJ)
 
DGW40N120CTH0 (YJ)
 
DGW20N65CTL0 (YJ)