DGW40N120CTL

Yangjie
DGW40N120CTL RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 1200 V IC 40 A VCE(SAT) IC=40A 1.85 V Applications  Circuit   Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features      High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient Including fast & soft recovery anti-...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Тип
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- DG15X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт —
A- DG10X06T1 (STARPWR)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 —
A- DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 1 шт
 
 —
A- DG50X06T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG50Q12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 90 шт
 
 — — —
A- DG40X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 300 шт
 
 —
A- DG40Q12T2LZ (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — —
A- DG40F12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG25X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- DG15X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт —

Файлы 1

показать свернуть
DGW40N120CTL RoHS COMPLIANT IGBT Discrete VCE 1200 V IC 40 A VCE(SAT) IC=40A 1.85 V Applications  Circuit   Inverter for motor drive AC and DC servo drive amplifier Uninterruptible power supply Features      High breakdown voltage to 1200V for improved reliability Maximum junction temperature 175℃ Positive temperature coefficient Including fast & soft recovery anti-parallel FWD High short circuit capability(10us) Maximum Ratings Parameter Symbol V IC 80 40 A IF 80 40 A VGE ±20 V VGE ±30 V 160 A VCE DC Collector Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Diode Forward Current, limited by Tjmax TC= 25°C TC= 100°C Transient Gate-Emitter Voltage (tp≤10µs,D<0.010) Unit 1200 Collector-Emitter Breakdown Voltage Continuous Gate-Emitter Voltage Value Turn off Safe Operating Area VCE≤1200V, Tj≤ 150°C Pulsed Collector Current, VGE=15V, tp limited by Tjmax ICM 160 A Diode Pulsed Current, tp limited by Tjmax IFpuls 160 A Tsc 10 μs Power Dissipation , Tj=175°C,Tc=25°C Ptot 428 W S-M342D Rev.1.4, 12-Apr-22 1 Short Circuit Withstand Time, VGE= 15V, VCC=900V，VCEM≤1200V www.21yangjie.com PDF
Документация на DGW40N120CTL 

Microsoft Word - DGW40N120CTL

Дата модификации: 24.05.2022

Размер: 503 Кб

8 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    28 мая 2025
    новость

    SiC MOSFET против традиционных IGBT: возможности и перспективы

    В последние годы SiC MOSFET приобретают все большую популярность, вызывая вопрос: вытеснят ли они традиционные и хорошо знакомые IGBT. Транзисторы, выполненные по обеим технологиям, уже почти в равной степени применяются в качестве ключевых... ...читать

    06 июня 2024
    новость

    Новые IGBT SUNCO в корпусе TO-247 для автотранспорта и промышленности

    Китайская компания SUNCO выпускает дискретные IGBT–транзисторы DGW80N120ATL1BQ и DGW80N120BTL1BQ в популярном корпусе TO–247 с номинальными значениями тока и напряжения 80 А и 1200 В, соответственно. Различие между ними заключается в... ...читать

    04 апреля 2024
    новость

    Новые IGBT SUNCO в корпусе TO-264 для промышленности, IT-индустрии и альтернативной энергетики

    Компания SUNCO (Китай) начала производство новых дискретных IGBT–транзисторов в корпусе TO–264. Уже сейчас доступны модели DGL50N120CTL0D и DGL75N120CTL1J с номинальными токами 50 и 75 А, соответственно, и напряжением... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    DG10X06T1 (STARPWR)