Вход / Регистрация

ES3K

SUNCO
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.85 В, ёмкостью перехода 21 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- GS5M (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- HS3M (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM)
A- HS5K (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- S3M (DC)
 

S3M (DIODES) 		DO214AB в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AB] — —
A- US3K SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 6000 шт
 
 — —
A- US3M SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A- GR3K (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM)
A- GR3M (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM)
A- GS3M (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GS3K (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GR5M (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- HS3K (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM)
A- HS5M (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- S3K (TSC)
 

S3K (ONS-FAIR) 		DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- S3M (TSC)
 

S3M (DIODES) 		DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- S3MH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- S4M (TSC)
 
DO214AB 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES3A THRU ES3K COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES3A ES3B ES3C ES3D ES3F ES3G ES3H ES3J ES3K ES3A ES3B ES3C ES3D ES3F ES3G ES3H ES3J ES3K Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 800 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 560 Maximum DC blocking Voltage VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 800 IO A IFSM A Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ 3.0 100 200 I2t A2s 41.5 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS ES3A ES3B ES3C ES3D ES3F ES3G ES3H Maximum instantaneous forward voltage VF V IFM=3.0A Maximum reverse recovery time trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Tj =25℃ 5 IR μA Tj =125℃ 100 Typical junction capacitance Cj pF 0.95 Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 60 ES3J ES3K 1.3 1.7 1.85 35 29 21 1/4 S-S357 Rev. 3.0, 20-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES3K 

Microsoft Word - ES3A THRU ES3K

Дата модификации: 20.09.2022

Размер: 211.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)