S3M

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 60 пФ, производства DC Components (DC)
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 42

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= FM407 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= M7 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= 1N4007G (SHIKUES)
 
DO214AC 4000 шт
 
P= US1M (DC)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт
P= S1M-A (ANBON)
 
DO214AC
P= S1ML (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= SS36AQ (YJ)
 
DO-214AC SMA
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1MQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount General Purpose Rectifier
P= S1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= GS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= FM404 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= FM401 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= 1N4004G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= US1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1M (DC)
 

S1M (DIODES)
DO214AA в ленте 3000 шт
P= S1G (DC)
 

S1G (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт
P= RS1M (DC)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= RS1M (YJ)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= GS1J (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1M (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Необходимо фото этикеток на заводской таре Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= M7 (DC)
 

M7-DIO (DIOTEC)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= SOD4007-SH (LRC)
 
SOD123FL
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= S2MB (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= DSR1M (ANBON)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= US1MW (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= US1M (YJ)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= HS1MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= HFM107 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HFMAF109 (LRC)
 
SMAFL
 
P= US1M (YOUTAI)
 

US1M (DIODES)
DO-214AC SMA в ленте 2000 шт
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= US1M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= US1K (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= HS1MQ (YJ)
 
DO214AC 100 шт Surface Mount High Efficient Rectifier
P= HS1Q (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
A- GS3M (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- GS5M (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
S3A THRU S3M DC COMPONENTS CO., LTD. R RECTIFIER SPECIALISTS TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 3.0 Amperes FEATURES * * * * * Ideal for surface mounted applications Glass passivated junction Low leakage current Low forward voltage drop High surge capability SMC(DO-214AB) MECHANICAL DATA .128(3.3) .108(2.8) * Case: Molded plastic * Epoxy: UL 94-V0 rate flame retardant * Terminals: Solder plated solderable per MIL-STD-750, Method 2026 * Polarity: As marked * Mounting position: Any * Weight: 0.24 gram .245(6.2) .220(5.6) .280(7.1) .260(6.6) .012(0.3) .004(0.1) .102(2.6) .079(2.0) .060(1.5) .030(0.8) .008(0.2) .004(0.1) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS o .320(8.1) .303(7.7) Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage o Dimensions in inches and (millimeters) SYMBOL S3A S3B S3D S3G S3J S3K S3M UNITS VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 Volts VRMS 35 70 140 280 420 560 700 Volts VDC 50 100 200 400 600 800 1000 Volts Maximum Average Forward Rectified Current at TA = 75 C IO 3.0 Amps Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) IFSM 100 Amps VF 1.1 Volts Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A DC Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage o @TJ = 25 C o @TJ = 125 C 5.0 IR 50 Typical Junction Capacitance (Note 1) CJ 60 Typical Thermal Resistance (Note 2) RθJL 20 TJ,TSTG -55 to +150 Operating and Storage Temperature Range μAmps pF o C/W o C Note 1 :Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts. Note 2 :Typical thermal resistsnce from junction to lead. REV-4,OCT,2020 1 www.dccomponents.com PDF
Документация на S3J 

S3A~S3M

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 419.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.