F1M

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.3 В, ёмкостью перехода 6 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- H1M (YJ)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P- H1MF (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P- F1MF (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
A- G1M (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
A- 1N4007[A7] (YOUTAI)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт — — —
A- F15M (YJ)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon
A- RS1ML (JSCJ)
 
SOD123FL 300 шт
 
 — — —
A- FFM107-M (JSCJ)
 
SOD123FL
 
 — — —
A- GS1010FL (JIEJIE)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 — —
A- RS1010FL (JIEJIE)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS F1A THRU F1M COMPLIANT Surface Mount Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● Fast switching for fast recovery ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in fast switching rectification of power supply, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Date ● Package: SOD-123FL Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code F1A F1B F1D F1G F1J F1K F1M F1A F1B F1D F1G F1J F1K F1M 50 100 200 400 600 800 1000 VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A Maximum reverse recovery time trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, IRR=0.25A IRRM μA PARAMETER Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode F1A F1B F1D F1G F1J F1K F1M 1.3 150 250 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ 100 500 1/5 S-S020 Rev. 2.3, 20-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на F1M 

Microsoft Word - F1A THRU F1M

Дата модификации: 21.12.2019

Размер: 237.1 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)