H1M

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 7 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- F1M (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
A- G1M (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
A- 1N4007[A7] (YOUTAI)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт — — —
A- F15M (YJ)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon
A- RS1ML (JSCJ)
 
SOD123FL 300 шт
 
 — — —
A- FFM107-M (JSCJ)
 
SOD123FL
 
 — — —
A- GS1010FL (JIEJIE)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 — —
A- RS1010FL (JIEJIE)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS H1A THRU H1M COMPLIANT Surface Mount High Efficient Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● Fast switching for high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high efficient switching rectification of power supply, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Date ● Package: SOD-123FL Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code H1A H1B H1D H1G H1J H1K H1M H1A H1B H1D H1G H1J H1K H1M 50 100 200 400 600 800 1000 VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz Half-sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A Maximum reverse recovery time trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, IRR=0.25A IRRM μA PARAMETER Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode H1A H1B H1D 1.0 H1G 1.3 50 H1J H1K H1M 1.7 75 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ 100 1/5 S-S059 Rev. 2.2, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на H1M 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 20.08.2018

Размер: 452.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)