GBJ30G

SUNCO
RoHS GBJ30A THRU GBJ30M COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Glass passivated chip junction ● Thin single in-line package ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial au...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус GBJ30G
Конфигурация соединения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GBJ30A THRU GBJ30M COMPLIANT Bridge Rectifiers Features ● UL recognition, file #E230084 ● Glass passivated chip junction ● Thin single in-line package ● High surge current capability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for switching power supply, home appliances, office equipment, industrial automation applications. Mechanical Data ● Package: 6KBJ Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked on body + ~ - ~ ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GBJ30A GBJ30B GBJ30D GBJ30G GBJ30J GBJ30K GBJ30M GBJ30A GBJ30B GBJ30D GBJ30G GBJ30J GBJ30K GBJ30M Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 IO A GBJ30K GBJ30M Maximum DC blocking Voltage With heatsink Average rectified output Tc =100℃ current @60Hz sine wave, Without heatsink R-load Ta =25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @8.3ms,Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode 30.0 4.0 350 IFSM A 700 I2t A2s 508 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Vdis KV 2.5 Tor kgꞏcm 8 Dielectric strength @ Terminals to case, AC 1 minute Mounting torque @Recommend torque：5kgꞏcm ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS GBJ30A Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Typical junction capacitance Cj pF GBJ30B GBJ30D GBJ30G IFM=15.0A 1.0 Tj =25℃ 5 Tj =125℃ Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 100 GBJ30J 108 1/4 S-B3622 Rev.1.0,14-Oct-24 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GBJ30G 

Microsoft Word - GBJ30A THRU GBJ30M

Дата модификации: 13.10.2024

Размер: 251.4 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 декабря
    статья

    Силовые полупроводниковые компоненты SUNCO для индустриальных источников питания

    Компоненты SUNCO идеально подходят для создания мощных индустриальных источников питания, в том числе – работающих в сложных температурных условиях. Компания предлагает двунаправленные супрессоры для входных цепей, диоды для выпрямительных мостов,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    ABS10 (YJ)