MBR20100CTS

SUNCOYJ
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 20 А, с падением напряжения 850 мВ, ёмкостью перехода 300 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBR20100CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB
A- MBRU20100CTA (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — —
A- MBRL20100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A- MBRL30100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A- MBRU30100CTA (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A- MBR30100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB
A- MBR30100CTS (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A- MBR40100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR20100CTS THRU MBR20200CTS COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MBR20100CTS MBR20150CTS MBR20200CTS MBR20100CTS MBR20150CTS MBR20200CTS VRRM V IO A 20 IFSM A 130 I2t A2s 70 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃， 100 150 200 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS IFM=10.0A MBR20100CTS MBR20150CTS 0.85 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=125℃ 0.9 MBR20200CTS 0.95 0.1 20 1/4 S-B1271 Rev.1.0,28-Apr-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR20100CTS 

Microsoft Word - MBR20100CTS THRU MBR20200CTS-双胞胎102mil

Дата модификации: 01.05.2022

Размер: 190.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)