MBR20200FCT

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 20 А, с падением напряжения 900 мВ, ёмкостью перехода 400 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус ITO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20150CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P= MBR20200CT (SHIKUES)
 
TO-220-3
 
P= MBR10200 (ANBON)
 
TO220AC
 
P= MBR20200CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P= MBR20200FCT (ANBON)
 
ITO220AB
 
P= SBD20200CT (JSCJ)
 
TO2203L
 
A- MBR20200FCTS (YJ)
 
ITO220AB 50 шт
 
A- MBR30200FCT (YJ)
 
ITO220AB 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR20100FCT THRU MBR20200FCT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: ITO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MBR20100FCT MBR20150FCT MBR20200FCT MBR20100FCT MBR20150FCT MBR20200FCT VRRM V IO A 20 IFSM A 150 I2t As 94 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃, 100 150 2 200 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS IFM=10.0A MBR20100FCT MBR20150FCT 0.8 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=125℃ 0.85 MBR20200FCT 0.9 0.1 20 1/3 S-B909 Rev.1.0,2-Jun-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR20100FCT 

Microsoft Word - MBR20100FCT THRU MBR20200FCT-双晶88.doc

Дата модификации: 06.12.2022

Размер: 156.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.