MBRB30150CTS

SUNCOYJ
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 150 В, ток до 30 А, с падением напряжения 900 мВ, ёмкостью перехода 300 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBRB30150CT (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 —
A- MBRB30200CT (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 —
A- MBRB30200CTS (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 —
A- MBRBL30150CT (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 — —
A- MBRBL30200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
MBRB30100CTS THRU MBRB30200CTS Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ●Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260℃ Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-263 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MBRB30100CTS MBRB30150CTS MBRB30200CTS MBRB30100CTS MBRB30150CTS MBRB30200CTS VRRM V IO A 30 IFSM A 230 I2t A2s 222 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Tc=121℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃， 100 150 200 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS IFM=15.0A MBRB30100CTS 0.85 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=125℃ MBRB30150CTS MBRB30200CTS 0.9 0.95 0.1 20 1/4 S-B1551 Rev.1.0,14-Nov-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBRB30150CTS 

Microsoft Word - MBRB30100CTS THRU MBRB30200CTS

Дата модификации: 14.11.2019

Размер: 239.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)