MBRBL30150CT

SUNCOYJ
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 150 В, ток до 30 А, с падением напряжения 840 мВ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBRB30150CTS (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 —
A- MBRBL30200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A- MBRB30150CT (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 —
A- MBRB30200CT (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBRBL30150CT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260℃ Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-263 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER MBRBL30150CT SYMBOL UNIT MBRBL30150CT Device marking code Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 150 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta（FIG 1） Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃，rating of per diode IO A 30 IFSM A 220 I2t A2s 200 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS MBRBL30150CT IFM=10.0A 0.84 VRM=VRRM Ta=25℃ 0.1 VRM=VRRM Ta=100℃ 20 ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Thermal Resistance Between junction and case SYMBOL UNIT MBRBL30150CT RθJ-C ℃/W 2.0 1/4 S-B1296 Rev.1.1,04-Jun-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBRBL30150CT 

Microsoft Word - MBRBL30150CT

Дата модификации: 04.06.2019

Размер: 223.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)