UG3DB

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 920 мВ, ёмкостью перехода 65 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS320B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
A- SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- ES3DB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- HS3DB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
A- SS320BQ (YJ)
 
DO214AA
 
A- MURS320B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
A- US3D SMBG (JSCJ)
 
DO214AA
 
A- ES3DB (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- SK320B (TSC)
 
DO214AA 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- PU3DBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- PU6DBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS UG3AB THRU UG3JB COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code UG3AB UG3BB UG3CB UG3DB UG3FB UG3GB UG3HB UG3JB UG3AB UG3BB UG3CB UG3DB UG3FB UG3GB UG3HB UG3JB Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 IO A IFSM A Maximum DC blocking Voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ 3.0 100 200 I2t A2s 41.5 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 1/6 S-S663 Rev. 2.9,20-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на UG3AB 

Microsoft Word - UG3AB THRU UG3JB

Дата модификации: 20.09.2022

Размер: 228.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.