Вход / Регистрация

YJB30GP10A

SUNCO
RoHS YJB30GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -30A ＜56 mohm ＜62 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Convert...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJB150G06AK
Внешний вид YJB150G06AK
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE01P18D (NCE)
 
TO263
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9530NS (JSMICRO)
 

IRF9530NS (INFIN) 		— 202 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB30GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -30A ＜56 mohm ＜62 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ -30 Drain Current ID A Tc=100℃ -19.2 Pulsed Drain Current A IDM -120 A Avalanche energy B EAS 162 mJ Tc=25℃ Total Power Dissipation 125 C PD W Tc=100℃ 50 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 12 15 50 60 0.8 1.0 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB30GP10A F2 YJB30GP10A 800 / 8000 13“ reel 1/6 S-E132 Rev.3.4,10-Dec-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB30GP10AF2 

Microsoft Word - YJB30GP10A Rev3.4

Дата модификации: 11.12.2020

Размер: 1.12 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)