YJC2007AF1

RoHS YJC2007A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 20V ● ID 7.0A ● RDS(ON)( at VGS=10V) <15 mohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <18 mohm ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) <22 mohm ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) <39 mohm ● ESD Protected Up to 3.0KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability Applications...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.015ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.