YJC2007AF1
RoHS
YJC2007A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
20V
● ID
7.0A
● RDS(ON)( at VGS=10V)
<15 mohm
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
<18 mohm
● RDS(ON)( at VGS=2.5V)
<22 mohm
● RDS(ON)( at VGS=1.8V)
<39 mohm
● ESD Protected Up to 3.0KV (HBM)
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High Power and current handing capability
Applications...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Примечание: Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.015ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJC2007AF1
Microsoft Word - YJC2007A
Дата модификации: 19.10.2020
Размер: 1.01 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.