YJD06520TKGH

SUNCO
RoHS YJD206520TLGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 650V ID（25°C） 92A RDS(on) 20mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS c...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TOLL
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD206520TLGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 650V ID（25°C） 92A RDS(on) 20mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TOLL ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS D206520TLGH Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 650 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -10/+25 Absolute maximum values (AC f > 1Hz, duty cycle < 1%) Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -5/+20 Recommended operational values 92 VGS=20V, Tc=25℃ ID A 59 VGS=20V, Tc=110℃ Continuous drain current @ Tc=25°C Pulse Drain Current Fig.19 ID, pulse A 319 Limited by tpw Avalanche energy, Single Pulse EAS J 1 VDD=75V, L=30mH Power Dissipation PTOT W 263 Tc=25°C , Tj = 175℃ Tj ,Tstg °C -55 to +175 TL °C 260 Operating junction and Storage temperature range Note1 Fig.14 Continuous drain current @ Tc=110°C Soldering temperature NOTE Fig.13 1.6mm (0.063’’) from case for 10s 1/9 S-SIC298 Rev.1.1,01-Jul-24 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD206520TLGH 

Microsoft Word - YJD206520TLGH

Дата модификации: 01.07.2024

Размер: 1.28 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    30 августа
    статья

    Когда следует сменить кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые

    К числу целевых приложений SiC MOSFET производства SUNCO с напряжением 650 В относятся системы электропитания с КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)