YJD120N04A

SUNCOYJ
RoHS YJD120N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 120 A ＜3.5 mohm ＜4.8 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converter...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJD120N04A
Внешний вид YJD120N04A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0403AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ JMTK4004A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMTE025N04D (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ YJG130G04A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD120N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 120 A ＜3.5 mohm ＜4.8 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Backlighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 120 TC=25℃ Drain Current ID A 76 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 390 A Total Power Dissipation @ TC=25℃ B PD 110 W Total Power Dissipation @ TC=100℃ B PD 44 W Total Power Dissipation @ TA=25℃ C PD 6.2 W Single Pulse Avalanche Energy D EAS 272 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 1.14 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Ambient RθJA 20 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD120N04A F2 YJD120N04A 2500 / 25000 13“ reel 1/6 S-E099 Rev.3.0,28-Sep-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD120N04AF2 

Microsoft Word - YJD120N04A

Дата модификации: 13.10.2020

Размер: 1.11 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)