YJD18GP10AQ

Yangjie
RoHS YJD18GP10AQ COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -18A ＜110 mΩ ＜120 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Part no. with suffix...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD18GP10AQ COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -18A ＜110 mΩ ＜120 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● Power management ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -18 TC=25℃ Drain Current A ID -12 Tc=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM -72 A EAS 36 mJ 72 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 29 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.35 1.7 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD18GP10AQ F1 YJD18GP10A 2500 2500 25000 13“ reel 1/7 S-B2414 Rev.1.2,15-Apr-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD18GP10AQ 

Microsoft Word - YJD18GP10AQ

Дата модификации: 18.04.2022

Размер: 292.8 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)