YJD212025NCFGH

SUNCO
RoHS YJD212025NCFGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 85A RDS(on) 25mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-4 TO-247-4L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD212025NCFGH COMPLIANT Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement） VDS 1200V ID（25°C） 85A RDS(on) 25mΩ Features ● High speed switching ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● Maximum working temperature at 175 °C ● High blocking voltage ● Fast Intrinsic diode with low recovery current ● High-frequency operation ● Halogen free, RoHS compliant Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO247-4L ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified） PARAMTETER SYMBOL UNIT VALUE Device marking code TEST CONDITIONS NOTE D212025NCFGH Drain source voltage @ Tj=25°C VDS,max V 1200 VGS=0 V, ID=100uA Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,max V -10/+25 Absolute maximum values (AC f > 1Hz, duty cycle < 1%) Gate source voltage @ Tj=25°C VGS,op V -5/+20 Recommended operational values 85 VGS=20V, Tc=25℃ ID A 57 VGS=20V, Tc=110℃ Continuous drain current @ Tc=25°C Fig.14 Continuous drain current @ Tc=110°C Pulsed drain current ID(pulsed) A 360 Pulse width tp limited by Tj,max Avalanche energy, Single Pulse EAS J 1.0 VDD=100V, L=30mH Power Dissipation PTOT W 375 Tc=25°C , Tj = 175℃ Tj ,Tstg °C -55 to +175 Soldering temperature TL °C 260 1.6mm (0.063’’) from case for 10s Mounting torque TM Nm 1.0 M3 screw Maximum of mounting process: 3 Operating junction and Storage temperature range Fig.15 Fig.13 1/8 S-SIC147 Rev.1.2,16-Aug-24 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD212025NCFGH 

Microsoft Word - YJD212025NCFGH

Дата модификации: 16.08.2024

Размер: 976.7 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 декабря
    статья

    Силовые полупроводниковые компоненты SUNCO для индустриальных источников питания

    Компоненты SUNCO идеально подходят для создания мощных индустриальных источников питания, в том числе – работающих в сложных температурных условиях. Компания предлагает двунаправленные супрессоры для входных цепей, диоды для выпрямительных мостов,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)