YJD80GP06B
RoHS
YJD80GP06B
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-6V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
-60 V
-80 A
<8.4 mΩ
<11 mΩ
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Low RDS(on) & FOM
● Extremely low switching loss
● Excellent stability and uniformity
● Moisture Sensitivity Le...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | IPD90P04P4L04 (EVVO) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.