YJD80GP06B

RoHS YJD80GP06B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -60 V -80 A <8.4 mΩ <11 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Le...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IPD90P04P4L04 (EVVO)
 
TO252 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJD80GP06B 

Дата модификации: 01.08.2023

Размер: 736.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.