YJG25GP10AQ
RoHS
YJG25GP10AQ
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
-100 V
-25 A
<55 mΩ
<60 mΩ
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Low RDS(on) & FOM
● Extremely low switching loss
● Excellent stability and uniformity
● Part no. with suffix...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 12 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJG25GP10AQ
Microsoft Word - YJG25GP10AQ
Дата модификации: 13.05.2022
Размер: 327.1 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.