YJG80G06AF1

RoHS YJG80G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● ID (Package limited) ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 110A 80A <4.2 mohm <5.2 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Appl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJG80G06AF1 

Microsoft Word - YJG80G06A

Дата модификации: 13.10.2020

Размер: 1.09 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.