YJG80G06AF1
RoHS
YJG80G06A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● ID (Package limited)
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
60V
110A
80A
<4.2 mohm
<5.2 mohm
General Description
● Split Gate Trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Appl...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Примечание: Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJG80G06AF1
Microsoft Word - YJG80G06A
Дата модификации: 13.10.2020
Размер: 1.09 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.