YJG80GP06B

RoHS YJG80GP06B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -60 V -80 A <8.5 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Fr...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJAC70P06 (JSCJ)
 
в ленте 20 шт
 
±
P= WMB95P06TS (WAYON)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJG80GP06B 

Дата модификации: 15.03.2024

Размер: 660 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.