YJG80GP06B
RoHS
YJG80GP06B
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
-60 V
-80 A
<8.5 mΩ
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Low RDS(on) & FOM
● Excellent stability and uniformity
● Moisture Sensitivity Level 3
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating
● Halogen Fr...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 10 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.