YJG90G08HJR
RoHS
YJG90G08HJR
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
80V
90A
<3.3mΩ
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
● Moisture Sensitivity Level 3
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability R...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 5000 шт.
Аналоги 10
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | CJAC65SN10 (JSCJ) | — | в ленте 5 шт | ||
P= | WMB060N08LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | ||
P= | WMB099N10LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | |||
P= | NCEP095N10AG (NCE) | — | в ленте 50 шт | ||
P= | CRSM055N10L2 (CRMICRO) | PDFN568 | |||
P= | NCE0160AG (NCE) | — | |||
P- | WMB053NV8HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 1000 шт | ||
P- | WMO030N06HG4 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | ||
P- | WMB040N08HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | ||
P- | CJAC100SN08U (JSCJ) | — | 125 шт |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.