WMB040N08HGS
WMB040N08HGS
80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB040N08HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET
D
D
D
D
D
D
DD
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This
G
G
ss
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN5060-8L
Features
VD...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в коробках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMB043N10HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMM028N10HGD (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMLL029NV8HGS (WAYON) | — | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB040N08HGS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 21.12.2022
Размер: 996 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.