YJG90G10BF1

SUNCOYJ
RoHS YJG90G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 90A ＜5.2mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching application ● Hard switched and high...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG90G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 90A ＜5.2mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ Unit 90 Drain Current ID A Tc=100℃ 57 Pulsed Drain Current A IDM 360 A Avalanche energy B EAS 400 mJ Tc=25℃ 120 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 48 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State Typ Max 15 20 40 50 0.84 1.04 Units RθJA RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG90G10B F1 YJG90G10B 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E430 Rev.1.1,20-Nov-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG90G10BF1 

Microsoft Word - YJG90G10B Rev1.1

Дата модификации: 20.11.2020

Размер: 1.11 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)