YJGD20G10A

Yangjie
RoHS COMPLIANT YJGD20G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary NMOS(Die1) ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm NMOS(Die2) ●VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● High density cell design for low R DS(ON) ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJAC20N06D (JSCJ)
 
— ± — — — — —
P= NCEP40ND80G (NCE)
 
—
 
 — ± — — —
P= WMB090DN04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS COMPLIANT YJGD20G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary NMOS(Die1) ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm NMOS(Die2) ●VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● High density cell design for low R DS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Die1 N-Die2 Drain-source Voltage VDS 100 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 ±20 V 20 20 12.5 12.5 TC=25℃ Drain Current Unit ID A TC=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 80 80 A Avalanche energy EAS 64 64 mJ PD 17 17 W TJ ,TSTG -55~+150 -55~+150 ℃ Symbol Typ Max Units 30 40 60 75 6.2 7.5 B Total Power Dissipation TC=25℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJGD20G10A F1 YJGD20G10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E420 Rev.3.3,22-Dec-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJGD20G10A 

Дата модификации: 12.01.2022

Размер: 821.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)