YJL1012E
RoHS
YJL1012E
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
20V
● ID
0.77A
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
< 260mohm
● RDS(ON)( at VGS= 2.5V)
< 360mohm
● RDS(ON)( at VGS= 1.8V)
< 700mohm
● ESD Protected >4.0KV(HBM)
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High Density Cell Design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Batt...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | JMTL3134K (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJL3134K (YJ) | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJL1012E
Microsoft Word - YJL1012E
Дата модификации: 03.11.2020
Размер: 1.18 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.