YJL1012E

RoHS YJL1012E COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 20V ● ID 0.77A ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) < 260mohm ● RDS(ON)( at VGS= 2.5V) < 360mohm ● RDS(ON)( at VGS= 1.8V) < 700mohm ● ESD Protected >4.0KV(HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Batt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMTL3134K (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3134K (YJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.