YJL2301GW
RoHS
YJL2301GW
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V)
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V)
-19V
-1.5A
<108 mohm
<130 mohm
<230 mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Low RDS(ON)
● Low Gate Charge
Applications
● Video monitor
● Power management
■ Absolute Maximum Ratings (TA=2...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
- Норма упаковки: 3000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJL2301GW
Microsoft Word - YJL2301GW Rev3.1
Дата модификации: 05.12.2020
Размер: 841.9 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.