YJL3134KBX
RoHS
YJL3134KBX
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
20 V
● ID
0.5 A
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
<300 mohm
● RDS(ON)( at VGS=2.5V)
<400 mohm
● RDS(ON)( at VGS=1.8V)
<950 mohm
● ESD Protected Up to 2.0KV (HBM)
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High Power and current handing capability
● Moisture Sensitivity Level 1
● Epoxy ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CJX3134K (JSCJ) | SOT-563 | в ленте 5 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | WM02DN08T (WAYON) | SOT-563 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.