YJL3134KBX

RoHS YJL3134KBX COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 20 V ● ID 0.5 A ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <300 mohm ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) <400 mohm ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) <950 mohm ● ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJX3134K (JSCJ)
 
SOT-563 в ленте 5 шт
 
±
P= WM02DN08T (WAYON)
 
SOT-563 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.