YJL3134KDW

RoHS YJL3134KDW COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 20 V ● ID 0.7 A ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <260 mohm ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) <360 mohm ● ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT-363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.