YJL3139KDW

RoHS YJL3139KDW COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS -20V ● ID -0.65A ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) <520 mohm ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) <750 mohm ● ESD Protected Up to 4.5KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Interfacing, Logic switch ● Load ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.