YJL3139KDW
RoHS
YJL3139KDW
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
-20V
● ID
-0.65A
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
<520 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V)
<750 mohm
● ESD Protected Up to 4.5KV (HBM)
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High Density Cell Design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Interfacing, Logic switch
● Load ...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность | ||
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJL3139KDW
Microsoft Word - YJL3139KDW
Дата модификации: 13.10.2020
Размер: 850.7 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.