YJL3415A
RoHS
YJL3415A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
-20V
● ID
-5.6A
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
<42 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V)
<55 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V)
<100 mohm
● ESD Protected Up to 4.0KV (HBM)
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High Density Cell Design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Ba...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJL3415AF2
Microsoft Word - YJL3415A
Дата модификации: 19.10.2020
Размер: 1011 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.