YJL3415AF2

RoHS YJL3415A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS -20V ● ID -5.6A ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) <42 mohm ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) <55 mohm ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) <100 mohm ● ESD Protected Up to 4.0KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Ba...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.