YJQ10N02AF1
RoHS
YJQ10N02A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● RDS(ON)( at VGS=2.5V)
● RDS(ON)( at VGS=1.8V)
● 100% ▽VDS Tested
20V
13A
<9mohm
<12mohm
<18.5mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High density cell design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
DFN2x2-6L
Applications
● Battery prote...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQ10N02AF1
Microsoft Word - YJQ10N02A Rev 3.1
Дата модификации: 23.02.2021
Размер: 1.25 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.