YJQ15GP10AF1
RoHS
YJQ15GP10A
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
-100V
-15A
<110 mohm
<120 mohm
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● DC-DC Conve...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQ15GP10AF1
Microsoft Word - YJQ15GP10A Rev.3.2
Дата модификации: 11.12.2020
Размер: 1.09 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.