YJQD25N04A
RoHS
YJQD25N04A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
DFN3.3X3.3
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
40 V
25 A
<19 mohm
<25 mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● High ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJQD25N04AF1
Microsoft Word - YJQD25N04A
Дата модификации: 12.11.2020
Размер: 1.11 Мб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.