YJS07NP03A
RoHS
YJS07NP03A
COMPLIANT
N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET
Product Summary
NMOS
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
30V
7A
<18mohm
<30mohm
PMOS
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
-30V
-7A
<23mohm
<34mohm
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High density cell design for low RDS(ON)
● High Speed switc...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.