YJS12G06DF2
RoHS
YJS12G06D
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% UIS Tested
● 100% ▽VDS Tested
60V
12A
<8.5 mohm
<12 mohm
General Description
● Split Gate Trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
Applications
● DC-DC Converters
●...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: YJS12G06
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Примечание | Small Signal Bipolar Transistor |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.