YJS4438AF2
RoHS
YJS4438A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
60V
8.2A
<22mohm
<34mohm
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
●High density cell design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
Applications
● Battery protection
● Load switch
● Power management
■ Absolute Maximum Ratin...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.