BAS21

UMW
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 250 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 5 пФ, производства UMW (YOUTAI)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид BAS21

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BAS21 (JSCJ)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
A- BAS21 (YJ)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
A- BAS21 [SOT23] (YJ)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW BAS21/A/C/S SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BAS21/A/C/S SWITCHING DIODE SOT-23 FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR BAS21 BAS21A BAS21C MARKING: JS MARKING:JS2 MARKING:JS3 JS JS2 JS3 BAS21S MARKING:JS4 JS4 Solid dot = Green molding compound device, JS2 JS JS3 if none, the normal device JS4 Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Repetitive peak reverse voltage VRRM Working peak reverse voltage VRWM Limit Unit 250 V DC blocking voltage VR Forward continuous current IFM 400 mA IO 200 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.5 A Repetitive peak forward surge current IFRM 625 mA Power dissipation PD 225 mW Thermal resistance junction to ambient RθJA 555 ℃/W TJ 150 ℃ TSTG -55~+150 ℃ Average rectified output current Junction temperature Storage temperature range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Test conditions Min Max V(BR) IR= 100µA Reverse voltage leakage current IR VR=200V 0.1 µA Forward voltage VF IF=100mA IF=200mA 1000 1250 mV Diode capacitance CD VR=0V, f=1MHz 5 pF Reveres recovery time trr IF=IR=30mA,Irr=0.1×IR,RL=100Ω 50 ns www.umw-ic.com 1 250 Unit V 友台半导体有限公司 PDF
Документация на BAS21 

Author: Administrator

Дата модификации: 08.05.2020

Размер: 684.9 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 октября 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты азиатских брендов в автомобильных фарах

    Современной тенденцией в автопромышленности является использование светодиодных фар в транспортных средствах. К их преимуществам можно отнести: малое энергопотребление, что особенно важно для электромобилей; большой срок службы; наличие... ...читать

    16 августа 2022
    новость

    Компоненты UMW – на складе Компэл

    На склад Компэл поступила партия компонентов UMW (Youtai). Компания UMW специализируется на производстве полных аналогов популярных микросхем и дискретных компонентов. В номенклатуре UMW можно найти полные аналоги интегральных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1206-B2100 (BOURNS)