BAT54

UMW
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 30 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства UMW (YOUTAI)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид BAT54

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- BAT54 (YJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
A- BAR43 (JSCJ)
 

BAR43 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A- BAS40 (DC)
 

BAS40 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A- BAS40 (JSCJ)
 

BAS40 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A- BAT54 (JSCJ)
 

BAT54 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM)
A- BAT54Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
 Small Signal Schottky Rectifier
A- BAS40-05 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM)
A- BAS40 (YJ)
 

BAS40 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon
A- AD-BAT54 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 —
A- LBAT54LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 2580 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW BAT54/A/C/S SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors BAT54/A/C/S SOT-23 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES z Extremely Fast Switching Speed 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM Value Unit 30 V DC Blocking Voltage VR Forward Continuous Current IFM 200 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t＜1s IFSM 600 mA Repetitive Peak Forward Current @ t≤1s,δ≤0.5 IFRM 300 mA Power Dissipation PD 200 mW RΘJA 500 ℃/W Junction Temperature Tj 125 ℃ Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse voltage Forward voltage Symbol Min V(BR) 30 Typ VF Max Unit Test conditions V IR=100μA 0.24 V IF1=0.1mA 0.32 V IF2=1mA 0.40 V IF3=10mA 0.50 V IF4=30mA 1 V IF5=100mA Reverse current IR 2 μA VR=25V Diode capacitance CD 10 pF VR=1V,f=1MHz Reverse recovery time trr 5 ns www.umw-ic.com 1 IF=IR=10mA Irr=0.1×IR,RL=100Ω 友台半导体有限公司 PDF
Документация на BAT54 

Дата модификации: 19.02.2022

Размер: 610.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)