FDS6681Z

UMW
UMW R FDS6681Z P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) max. (m) at VGS = 10 V RDS(on) max. (m) at VGS = 4.5 V Qg typ. (nC) ID (A) Configuration S -30 5 8 27 18 Single G D P-Channel MOSFET APPLICATIONS • Battery management in mobile devices SOP-8 • Adapter and charger switch • Battery switch • Load switch S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Top View A...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: FDS6681Z (ONS-FAIR)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UMW R FDS6681Z P-Channel 30 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) max. (m) at VGS = 10 V RDS(on) max. (m) at VGS = 4.5 V Qg typ. (nC) ID (A) Configuration S -30 5 8 27 18 Single G D P-Channel MOSFET APPLICATIONS • Battery management in mobile devices SOP-8 • Adapter and charger switch • Battery switch • Load switch S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) PARAMETER Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current (TJ = 150 °C) SYMBOL VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Pulsed drain current (t = 100 μs) ID IDM Continuous source-drain diode current TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single pulse avalanche current Single pulse avalanche energy L = 0.1 mH IAS EAS TC = 25 °C TC = 70 °C Maximum power dissipation TA = 25 °C TA = 70 °C Operating junction and storage temperature range Soldering recommendations (peak temperature) c IP TJ, Tstg LIMIT -30 20 -18 -13 -11 -8 -145 -5 -2.8 b, c -25 31.2 5.6 3.6 3.1 b, c 2 b, c -55 to +150 260 UNIT V A mJ W °C TH ERM AL RESISTAN CE RATING S PARAMETER SYMBOL TYPICAL MAXIMUM t  10 s 34 Maximum junction-to-ambient b RthJA 40 18 22 Steady state RthJF Maximum junction-to-case (drain) Notes a. Package limited b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board c. t = 10 s d. The SOP-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result of the singulationprocess in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure adequate bo ttom side solder interconnection e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components f. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W g. TC = 25 °C www.umw-ic.com 1 UNIT °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на FDS6681Z 

UMW FDS6681Z

Дата модификации: 26.10.2022

Размер: 306 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)