IRLB3034

UMW
UMW R IRLB3034 40 V N-Channel MOSFET Applications • • • • • DC Motor Drive High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Optimized for Logic Level Drive Very Low R DS(ON) at 4.5V VGS Superior R*Q at 4.5V V GS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characteri...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UMW R IRLB3034 40 V N-Channel MOSFET Applications • • • • • DC Motor Drive High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Optimized for Logic Level Drive Very Low R DS(ON) at 4.5V VGS Superior R*Q at 4.5V V GS Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free • • • • D G • VDS(V) =40V • I D =195A (V GS = 10V) • RDS(ON) <1.7mΩ (V GS =10V) • RDS(ON) <2.0mΩ (V GS =4.5V) S Absolute Maximum Ratings Symbol ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C ID @ TC = 25°C IDM PD @TC = 25°C VGS Max. Parameter 343 243 195 1372 375 2.5 ±20 4.6 d Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) Mounting torque, 6-32 or M3 screw Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy f dv/dt TJ TSTG EAS (Thermally limited) IAR EAR d Units c c Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) A W W/°C V V/ns -55 to + 175 °C 300 x x 10lbf in (1.1N m) 255 e d See Fig. 14, 15, 22a, 22b, mJ A mJ Thermal Resistance Symbol RθJC RθCS RθJA www.umw-ic.com Parameter Typ. j Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient Max. Units 0.4 °C/W 0.5 62 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRLB3034 

UMW IRLB3034

Дата модификации: 24.10.2023

Размер: 520.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)