NDC7002N

UMW
UMW R UMW NDC7002N SOT23-6 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features 0.51A, 50V, RDS(ON) = 2Ω @ VGS=10V These dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус sot236
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW NDC7002N SOT23-6 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features 0.51A, 50V, RDS(ON) = 2Ω @ VGS=10V These dual N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. These devices is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch. High density cell design for low RDS(ON). Proprietary SOT23-6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High saturation current. ____________________________________________________________________________________________ 4 3 5 2 6 1 SOT23-6 Absolute Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter NDC7002N Units VDSS Drain-Source Voltage 50 V VGSS Gate-Source Voltage - Continuous 20 V ID Drain Current - Continuous 0.51 A (Note 1a) - Pulsed PD Maximum Power Dissipation 1.5 (Note 1a) (Note 1b) (Note 1c) TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range 0.96 W 0.9 0.7 -55 to 150 °C (Note 1a) 130 °C/W (Note 1) 60 °C/W THERMAL CHARACTERISTICS RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на NDC7002NUMW 

UMW NDC7002N

Дата модификации: 19.02.2022

Размер: 303.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)