SI2308A

UMW
UMW R UMW SI2308A N-Channel MOSFET ■ Features SOT–23 ● VDS (V) = 60V ● ID = 3 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) ＜ 80mΩ (VGS = 10V),ID=3A ● RDS(ON) ＜ 95mΩ (VGS = 4.5V),ID=1.9A 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN G 1 S 2 3 D ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current Ta=25℃ ID Ta=70℃ Pulsed ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW SI2308A N-Channel MOSFET ■ Features SOT–23 ● VDS (V) = 60V ● ID = 3 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) ＜ 80mΩ (VGS = 10V),ID=3A ● RDS(ON) ＜ 95mΩ (VGS = 4.5V),ID=1.9A 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN G 1 S 2 3 D ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current Ta=25℃ ID Ta=70℃ Pulsed Drain Current Power Dissipation Thermal Resistance.Junction- to-Ambient IDM Ta=25℃ Ta=70℃ (Note.1) PD RthJA (Note.2) Junction Temperature Storage Temperature Range Unit V 3 1.9 A 10 1.25 0.8 100 166 TJ 150 Tstg -55 to 150 W ℃/W ℃ Note.1: Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 5 sec. Note.2: Surface Mounted on FR4 Board www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на SI2308A 

UMW SI2308A

Дата модификации: 27.12.2022

Размер: 1.42 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)