Компоненты JSCJ для солнечных микроинверторов

19 июля 2023

управление питаниемJSCJновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETLDOинверторы для солнечной энергетикидиод Шотткибиполярный транзистор

Благодаря энергетической революции идет активное продвижение экологически чистых и безопасных возобновляемых источников энергии с малым выбросом углеродов. Одним из них является солнечная энергия. Эффективность ее использования зависит в том числе от преобразователей (микроинверторов) энергии, идущей от солнечных панелей к потребителю. Упрощенная схема подобной системы представлена на рисунке 1.

Компания Jiangsu Changjing Technology (JSCJ), являющаяся крупнейшим производителем полупроводников в Китае, предлагает доступные к заказу со склада КОМПЭЛ компоненты для построения микроинверторов:

  • MOSFET, IGBT и биполярные транзисторы (таблицы 1 и 2);
  • выпрямительные, переключающие и диоды Шоттки, а также стабилитроны (таблица 3);
  • регуляторы постоянного напряжения, в том числе LDO (таблица 4).

Рис. 1. Преобразование солнечной энергии посредством микроинвертора

Рис. 1. Преобразование солнечной энергии посредством микроинвертора

Таблица 1. Основные параметры MOSFET и IGBT производства компании JSCJ

Тип Наименование Напряже-
ние, В
Ток, А Номинальное сопротивление перехода (Rdson), мОм, при VGS= Параметры затвора Корпус
Пороговое напряжение (VGS(TH)), В Заряд (Qg), нКл Входная емкость (Ciss), пФ
10 В 4,5 В
MOSFET CJAC70SN15 150 70 10 12 2…4 45 3850 PDFNWB5x6-8L
CJAC011SN15C 150 9,5 11
CJ2324 100 2 195 208 1,2…2,8 5,8 190 SOT-23-3
CJ3400 30 5,8 25 27 0,7…1,4 9,5 820
IGBT CGWT40N120F2KAD 1200 40 TO-247

Таблица 2. Основные параметры биполярных транзисторов производства JSCJ

Наименование Тип Напряжение, В Ток, А Корпус
Коллектор-база (VCBO) Коллектор-эмиттер (VCEO) Насыщения (VSAT)
2SA1576A PNP -60 -50 -0,5 -0,15 SOT-323
2SC4081 NPN 60 50 0,4 0,15 SOT-323
KTC3198 60 50 0,25 0,15 TO-92
2SD2391 60 60 0,35 2 SOT-89-3L

Таблица 3. Основные параметры диодов производства JSCJ

Тип Наименование Напряжение (VR), А Ток, А Падение напряжения (VF), А Время восстано-
вления (trr), нс
Корпус
Прямой (IF) Импульсный неповторяю-щийся (IFSM)
SiC Шоттки SBDD02C1200 1200 2 29 1,45 TO-252
Выпрямительный MURS120 200 1 30 0,875 25 SMAG
MUR15H60L 600 15 248 1,35 24 TO-220-2L
MURW60H120 1200 60 500 2,8 43 TO-247-2L
Шоттки DSS24 40 2 40 0,55 SOD-123FL
Переключающий 1N4148W 100 0,3 2 1,25 4 SOD-123
1SS226 80 0,3 2 1,2 4 SOT-23
BAV21W 200 0,2 2 1,25 50 SOD-123
Стабилитрон BZT52C3V9 3,9 0,9 SOD-123

Таблица 4. Основные параметры регуляторов напряжения, выпускаемых компанией JSCJ

Наимено-
вание
Напряжение, В Ток, А Падение напряжения, В
(при токе, А)
Коэффициент подавления нестабильности питания при 1 кГц, дБ Корпус
Входное, диапазон или максимальное Выходное Рабочий, А Потребления в покое, мА
CJ6385 3…40 2,8…9,0 0,2 0,002 0,7 (0,1) 55 SOT-89-3L
SOT-23-3L/5L
SOT-223
TO-92
CJ6376 2,5…36,0 1,2…12,0 0,3 0,2 (0,1) 70 SOT-23-3L/5L
SOT-223
1117x 15 1,2…5,0 1 2 1,3 (1) 60 SOT-89-3L
SOT-223
TO-252-2L
CJ7805 35 5 1,5 5 2 (1) TO-220-3L
TO-220F
TO-251-3L
TO-251S
TO-252-2L
TO-263-2L
CJ7812 12 4,3
•••

Наши информационные каналы

О компании JSCJ

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET. Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления. ...читать далее

Товары
Наименование
CJAC70SN15 (JSCJ)
 
CJ3400A (JSCJ)
 
2SA1576A (JSCJ)
 
2SC4081 (JSCJ)
 
MURS120 SMAG (JSCJ)
 
MURW60H120L (JSCJ)
 
DSS24 SOD-123FL (JSCJ)
 
BZT52C3V9 (JSCJ)
 
CJ6385A50P (JSCJ)
 
CJ7805 3% (JSCJ)