Компоненты JSCJ для солнечных микроинверторов
19 июля 2023
Благодаря энергетической революции идет активное продвижение экологически чистых и безопасных возобновляемых источников энергии с малым выбросом углеродов. Одним из них является солнечная энергия. Эффективность ее использования зависит в том числе от преобразователей (микроинверторов) энергии, идущей от солнечных панелей к потребителю. Упрощенная схема подобной системы представлена на рисунке 1.
Компания Jiangsu Changjing Technology (JSCJ), являющаяся крупнейшим производителем полупроводников в Китае, предлагает доступные к заказу со склада КОМПЭЛ компоненты для построения микроинверторов:
- MOSFET, IGBT и биполярные транзисторы (таблицы 1 и 2);
- выпрямительные, переключающие и диоды Шоттки, а также стабилитроны (таблица 3);
- регуляторы постоянного напряжения, в том числе LDO (таблица 4).
Таблица 1. Основные параметры MOSFET и IGBT производства компании JSCJ
Тип | Наименование | Напряже- ние, В |
Ток, А | Номинальное сопротивление перехода (Rdson), мОм, при VGS= | Параметры затвора | Корпус | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Пороговое напряжение (VGS(TH)), В | Заряд (Qg), нКл | Входная емкость (Ciss), пФ | |||||||
10 В | 4,5 В | ||||||||
MOSFET | CJAC70SN15 | 150 | 70 | 10 | 12 | 2…4 | 45 | 3850 | PDFNWB5x6-8L |
CJAC011SN15C | 150 | – | 9,5 | 11 | – | – | – | ||
CJ2324 | 100 | 2 | 195 | 208 | 1,2…2,8 | 5,8 | 190 | SOT-23-3 | |
CJ3400 | 30 | 5,8 | 25 | 27 | 0,7…1,4 | 9,5 | 820 | ||
IGBT | CGWT40N120F2KAD | 1200 | 40 | – | – | – | – | – | TO-247 |
Таблица 2. Основные параметры биполярных транзисторов производства JSCJ
Наименование | Тип | Напряжение, В | Ток, А | Корпус | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Коллектор-база (VCBO) | Коллектор-эмиттер (VCEO) | Насыщения (VSAT) | ||||
2SA1576A | PNP | -60 | -50 | -0,5 | -0,15 | SOT-323 |
2SC4081 | NPN | 60 | 50 | 0,4 | 0,15 | SOT-323 |
KTC3198 | 60 | 50 | 0,25 | 0,15 | TO-92 | |
2SD2391 | 60 | 60 | 0,35 | 2 | SOT-89-3L |
Таблица 3. Основные параметры диодов производства JSCJ
Тип | Наименование | Напряжение (VR), А | Ток, А | Падение напряжения (VF), А | Время восстано- вления (trr), нс |
Корпус | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Прямой (IF) | Импульсный неповторяю-щийся (IFSM) | ||||||
SiC Шоттки | SBDD02C1200 | 1200 | 2 | 29 | 1,45 | – | TO-252 |
Выпрямительный | MURS120 | 200 | 1 | 30 | 0,875 | 25 | SMAG |
MUR15H60L | 600 | 15 | 248 | 1,35 | 24 | TO-220-2L | |
MURW60H120 | 1200 | 60 | 500 | 2,8 | 43 | TO-247-2L | |
Шоттки | DSS24 | 40 | 2 | 40 | 0,55 | – | SOD-123FL |
Переключающий | 1N4148W | 100 | 0,3 | 2 | 1,25 | 4 | SOD-123 |
1SS226 | 80 | 0,3 | 2 | 1,2 | 4 | SOT-23 | |
BAV21W | 200 | 0,2 | 2 | 1,25 | 50 | SOD-123 | |
Стабилитрон | BZT52C3V9 | 3,9 | – | – | 0,9 | – | SOD-123 |
Таблица 4. Основные параметры регуляторов напряжения, выпускаемых компанией JSCJ
Наимено- вание |
Напряжение, В | Ток, А | Падение напряжения, В (при токе, А) |
Коэффициент подавления нестабильности питания при 1 кГц, дБ | Корпус | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Входное, диапазон или максимальное | Выходное | Рабочий, А | Потребления в покое, мА | ||||
CJ6385 | 3…40 | 2,8…9,0 | 0,2 | 0,002 | 0,7 (0,1) | 55 | SOT-89-3L SOT-23-3L/5L SOT-223 TO-92 |
CJ6376 | 2,5…36,0 | 1,2…12,0 | 0,3 | 0,2 (0,1) | 70 | SOT-23-3L/5L SOT-223 |
|
1117x | 20 | 1,2…5,0 | 1 | 2 | 1,3 (1) | 60 | SOT-89-3L SOT-223 TO-252-2L |
CJ7805 | 35 | 5 | 1,5 | 5 | 2 (1) | – | TO-220-3L TO-220F TO-251-3L TO-251S TO-252-2L TO-263-2L |
CJ7812 | 12 | 4,3 |
Наши информационные каналы