SiC MOSFET 1700 В как ключевой элемент вспомогательных источников питания

19 февраля
Александр Русу (г. Одесса) Ключевыми особенностями высоковольтных SiC MOSFET Wolfspeed являются малое сопротивление канала в открытом состоянии и минимальное значение паразитных емкостей, что позволяет максимально снизить статические и динамически...
управление питаниемответственные применениялабораторные приборыWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET

CoolSiC MOSFET: революция в преобразователях питания

18 февраля
Петер Фридрихс (Infineon) Что привлекает в SiC по сравнению с кремнием, и какие особенности делают компоненты SiC часто используемыми, несмотря на более высокую стоимость в сравнении с кремниевыми высоковольтными устройствами? – Объясняет специали...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыуниверсальное применениеInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCККМSiC MOSFET

Особенности применения технологий с широкой запрещенной зоной

10 февраля
Джеральд Дибой, Петер Фридрихс (Infineon) Выбор полупроводникового силового ключа зависит от его свойств, стоимости жизненного цикла преобразователя, а также цели его разработки и требований к производительности. Infineon предлагает целую линейку ...
телекоммуникацииавтомобильная электроникасветотехникауправление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCIGBTAC-DCККМSiC MOSFET

IGBT-модули EconoPACK™+ от Infineon с защитой от сероводорода

9 февраля
Алексей Гурвич, Оливер Шиллинг и другие (Infineon Technologies) С каждым годом на рынке возрастает число частотно-регулируемых приводов (ЧРП). В настоящее время ЧРП широко используются во многих промышленных приложениях. В некоторых применениях, т...
управление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTAC-DCMotor Drive

SiC MOSFET на 650 В от Wolfspeed – расширение линейки

5 февраля
Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3...
телекоммуникацииуправление питаниемWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводники

Новые силовые модули EasyPACK на основе TRENCHSTOP CoolSiC IGBT

4 февраля
Новинка от компании Infineon – гибридные силовые модули EasyPACK, основанные на TRENCHSTOP 5 CoolSiC IGBT. Использование преимуществ технологий TRENCHSTOP и CoolSiC в одном IGBT является прекрасным выбором для перехода от традиционных IGBT на осно...
управление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

29 января
Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид-кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное преимущество –...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиAC-DCMotor DriveSiC MOSFETSIC module

Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

27 января
Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм). В новых MOSFET используется технология соеди...
светотехникауправление питаниеммедицинаответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводники

SiC MOSFET на 1200 В от Wolfspeed для маломощных преобразователей энергии

21 января
Компания Wolfspeed выпустила новые карбид-кремниевые транзисторы C3M0350120D/J на напряжение 1200 В, предназначенные для маломощных устройств мощностью до 500 Вт. Карбид-кремниевые транзисторы в сравнении с кремниевыми (IGBT/MOSFET) демонстрируют ...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниеммедицинаWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводники

Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

20 января
Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникну...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCMotor DriveSiC MOSFET