Когда следует сменить кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые

30 августа
К числу целевых приложений SiC MOSFET производства SUNCO с напряжением 650 В относятся системы электропитания с КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое о...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыSUNCOстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCMotor DriveSiC MOSFET

Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В

20 августа
Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, пр...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиTO-247SJ MOSFETTOLL

Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы SUNCO в корпусе TOLL для компактных устройств высокой мощности

13 августа
Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL

AC/DC-преобразователь PN8085LST-A1 производства Chipown доступен со склада КОМПЭЛ

12 августа
На склад КОМПЭЛ поступили микросхемы PN8085LST-A1 китайской компании Chipown, которые являются полными pin-to-pin-аналогами популярной серии преобразователей VxxxR06 одного из ведущих западных производителей. PN8085 представляет собой ШИМ-контролл...
телекоммуникациисистемы безопасностиуправление питаниемпотребительская электроникаавтоматизацияChipownновостьинтегральные микросхемыисточники питанияAC-DCflybackIntegrated MOSFET

DGW50N120CTL1J – новый дискретный IGBT от SUNCO в корпусе TO-247 с быстрым обратным диодом

9 августа
Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBTвысоковольтное применениепреобразователь частоты

Новые IGBT-модули SUNCO 12 класса в популярных корпусах C2 (62мм) и E3 (Econodual)

1 августа
Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиIGBT62 mmEconoDual

Новинка от SUNCO: SiC-транзисторы в корпусе TOLL

26 июля
Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL

Новые диодные мосты SUNCO серии MT-W для широкого спектра применений

19 июля
Использование в выпрямителях готовых модулей диодных мостов вместо набора дискретных элементов является современной тенденцией. Благодаря этому производители электроники получают такие преимущества, как меньшие габариты, простота монтажа и более в...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникивысоковольтное применениеДиодный мосткомпактный корпус

SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

16 июля
Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике, телекоммуникац...
телекоммуникациитерминалы продажуправление питаниемуправление двигателемSUNCOстатьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTTVS-диодыДиодыESD-защита

На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

8 июля
Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства. Э...
управление питаниемуправление двигателемAnbon SemiATSновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETTO-247TO-263