Китайская компания EGmicro (Shenzhen Yijing Microelectronics Co., Ltd.), являющаяся первым азиатским производителем, разработавшим LLC-контроллер, специализируется на проектировании и выпуске интегральных схем для инверторных источников питания (к...
Читая восторженные статьи о внедрении широкозонных полупроводников (SiC и GaN), можно прийти к выводу, что эра кремния в мощных импульсных источниках питания закончилась. Однако есть масса приложений, где он остается незаменимым и не скоро сдаст с...
Большое влияние на технические характеристики современного электрооборудования оказывают применяемые в нем преобразователи постоянного тока (DC/DC) и блоки питания (AC/DC). Большинство производителей электронных устройств, включая компании с миров...
К числу целевых приложений SiC MOSFET производства SUNCO с напряжением 650 В относятся системы электропитания с КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникнуть режим жестких переключений, а также мощное силовое о...
Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, пр...
Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз...
На склад КОМПЭЛ поступили микросхемы PN8085LST-A1 китайской компании Chipown, которые являются полными pin-to-pin-аналогами популярной серии преобразователей VxxxR06 одного из ведущих западных производителей.
PN8085 представляет собой ШИМ-контролл...
Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о...
Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект...
Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,...